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俄罗斯斥资384亿美元,目标2030年实现国产28nm工艺
来源: 时间:2022-04-19

据cnbeta消息,近日,俄罗斯政府宣布了新的半导体计划,该计划作为俄全新微电子开发计划的初步版本,预计到2030年投资3.19万亿卢布,约合384.3亿美元。该资金将用于开发本土半导体生产技术、国内芯片开发、数据中心基础设施、本土人才培养及自制芯片和解决方案的市场推广。

半导体制造方面,俄计划投资4200亿卢布开发新的制造工艺和后续改进。短期目标之一是在2022年底前使用90nm制造工艺提高本地芯片产量,更长期目标之一是到2030年实现28nm芯片工艺制造。

基础设施方面,计划投资4600亿卢布,到2030年全国数据中心预计由目前的70个增加到300个。此外,俄还计划在2022年底前建立一个针对“国外解决方案”的逆向工程项目,将相关制造转移到国内。据悉,该计划将于4月22日敲定并提交俄总理正式批复。

俄乌战争爆发后,美国及其盟友国发起了对俄罗斯的9600多项制裁,相关针对俄罗斯的出口约束涉及半导体、计算机、电信、信息安全设备、激光器和传感器等多方面,而这些产品中的相当一部分,在此之前,并未被列入受到管制的范围之内。而国际清算银行也将在没有美国出口许可的情况下,禁止为这些类型的产品与俄罗斯的出口交易提供结算服务。

前段时间,美国还对俄罗斯最大芯片制造商米克朗控股公司、软件和通信技术公司AO NII-Vektor、计算机公司T-Platform、MERI等实施了制裁。并且,原本为俄罗斯芯片代工厂的台积电和三星等,在美国禁令之后将不再为俄罗斯企业服务。