据韩联社报道，三星首批3纳米芯片已完成生产，并于25日在韩国华城园区厂举行出货仪式。三星表示，该公司在全球先进芯片制程竞赛中，率先取得重要里程碑。

不过，三星并未公布首批3纳米芯片的客户。此前，有媒体报道称，消息人士透露，三星称已经有客户订购产能，包括虚拟货币挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体，以及移动处理器大厂高通等，不过高通将视情况进行投片。

据悉，三星于今年6月底正式宣布，开始初步生产基于3nm全环绕栅极（Gate-All-AroundT,简称GAA）制程工艺节点的芯片，首先将应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。

官方介绍称，与三星5nm工艺相比，三星第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；三星表示，未来第二代3nm工艺将使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。